מספר מוצר של יצרן:
SSM6K516NU,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6K516NU,LF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
מלאי:
5845 יחידות חדשות מק originales במלאי
12977966
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6K516NU,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
46mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
+20V, -12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
280 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-UDFNB (2x2)
חבילה / מארז
6-WDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
SSM6K516
מידע נוסף
שמות אחרים
264-SSM6K516NULFDKR
264-SSM6K516NULFCT
264-SSM6K516NULFTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCT3030AW7TL
SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
IRF9630PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
