מספר מוצר של יצרן:
SSM6K361NU,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6K361NU,LF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
מלאי:
40516 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889812
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6K361NU,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
69mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.2 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
430 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-UDFNB (2x2)
חבילה / מארז
6-WDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
SSM6K361
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6K361NULFDKR
SSM6K361NULF(B
SSM6K361NU,LF(B
SSM6K361NULFTR
SSM6K361NULF
SSM6K361NULFCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
TK20P04M1,RQ(S
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
SSM6K514NU,LF
MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
