מספר מוצר של יצרן:
SSM6K211FE,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6K211FE,LF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
מלאי:
11977 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891694
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
x6eQ
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6K211FE,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSIII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
47mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.8 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
510 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
ES6
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
מספר מוצר בסיסי
SSM6K211
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6K211FE(TE85L,F
SSM6K211FETE85LF
SSM6K211FE(TE85LFDKR
SSM6K211FE,LF(CA
SSM6K211FELFCT
SSM6K211FE(TE85LFTR
SSM6K211FELFTR
SSM6K211FE(TE85LFTR-DG
SSM6K211FELFDKR
SSM6K211FE(TE85LFCT
SSM6K211FE(TE85LFDKR-DG
SSM6K211FE(TE85LFCT-DG
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK5A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
2SK2845(TE16L1,Q)
MOSFET N-CH 900V 1A DP
T2N7002BK,LM
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
