מספר מוצר של יצרן:
SSM6J507NU,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6J507NU,LF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
מלאי:
2758 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890458
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6J507NU,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20.4 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
+20V, -25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1150 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-UDFNB (2x2)
חבילה / מארז
6-WDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
SSM6J507
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6J507NU,LF(T
SSM6J507NU,LF(B
SSM6J507NULFTR
SSM6J507NULFDKR
SSM6J507NULFCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK7A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
TPCA8103(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
TK7P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK