מספר מוצר של יצרן:
SSM6J422TU,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6J422TU,LF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4A UF6
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
מלאי:
5226 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889121
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6J422TU,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.8 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
+6V, -8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
840 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
UF6
חבילה / מארז
6-SMD, Flat Leads
מספר מוצר בסיסי
SSM6J422
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6J422TULFTR
SSM6J422TULFCT
SSM6J422TULFDKR
SSM6J422TU,LF(B
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3K7002CFU,LF
MOSFET N-CH 60V 170MA USM
TK100E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
2SK2993(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
