SSM3K357R,LF

מספר מוצר של יצרן:

SSM3K357R,LF

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

SSM3K357R,LF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F

מלאי:

52896 יחידות חדשות מק originales במלאי

12889852

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SSM3K357R,LF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

π-MOSV

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

650mA (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

1.5 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±12V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

60 pF @ 12 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1W (Ta)

טמפרטורת פעולה

150°C

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-23F

חבילה / מארז

SOT-23-3 Flat Leads

מספר מוצר בסיסי

SSM3K357

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

SSM3K357RLFDKR

SSM3K357RLFTR

SSM3K357RLFCT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K781G,LF

MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM5H12TU(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K106TU(TE85L)

MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK15A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS