מספר מוצר של יצרן:
SSM3K2615R,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3K2615R,LF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
מלאי:
91408 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890487
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3K2615R,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
π-MOSV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
150 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23F
חבילה / מארז
SOT-23-3 Flat Leads
מספר מוצר בסיסי
SSM3K2615
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3K2615RLFTR
SSM3K2615RLF
SSM3K2615R,LF(B
SSM3K2615R,LF(T
SSM3K2615RLFCT
SSM3K2615RLFDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPCA8102(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
TPC6008-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS-6
DMG2302UK-13
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
