מספר מוצר של יצרן:
SSM3J56MFV,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3J56MFV,L3F-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
מלאי:
388333 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889271
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3J56MFV,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
800mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
100 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
VESM
חבילה / מארז
SOT-723
מספר מוצר בסיסי
SSM3J56
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3J56MFVL3F(TTR
SSM3J56MFVL3F(TDKR
SSM3J56MFVL3F(TTR-DG
SSM3J56MFVL3FT
SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3FCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-DG
SSM3J56MFVL3F(TDKR-DG
SSM3J56MFVL3FDKR
SSM3J56MFVL3FTR
SSM3J56MFV,L3F(T
SSM3J56MFV,L3F(B
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3J114TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
SSM3J356R,LF
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
SSM3K131TU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A UFM
