מספר מוצר של יצרן:
SSM3J56ACT,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3J56ACT,L3F-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
מלאי:
40754 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889228
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3J56ACT,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
1.6 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
100 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
CST3
חבילה / מארז
SC-101, SOT-883
מספר מוצר בסיסי
SSM3J56
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3J56ACTL3FDKR
SSM3J56ACTL3FTR
SSM3J56ACTL3FCT
SSM3J56ACT,L3F(T
SSM3J56ACT,L3F(B
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
SSM3K56MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
TK80S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
