מספר מוצר של יצרן:
SSM3J35MFV,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3J35MFV,L3F-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
מלאי:
35555 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889711
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3J35MFV,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12.2 pF @ 3 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
VESM
חבילה / מארז
SOT-723
מספר מוצר בסיסי
SSM3J35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVTL3T
SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)DKR-DG
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3FCT
SSM3J35MFV(TL3T)TR-DG
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFV(TL3T)DKR
SSM3J35MFVL3FDKR
SSM3J35MFV(TL3T)CT-DG
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFV(TL3T)CT
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SJ304(F)
MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
TK6A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
TK31N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
