מספר מוצר של יצרן:
SSM3J353F,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3J353F,LF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
מלאי:
20293 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890426
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3J353F,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.4 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
+20V, -25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
159 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
600mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
S-Mini
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
SSM3J353
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3J353FLFTR
SSM3J353F,LF(T
SSM3J353FLFDKR
SSM3J353FLFCT
SSM3J353F,LF(B
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPC6110(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6
TPHR6503PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
TK16A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 16A TO220SIS