מספר מוצר של יצרן:
SSM3J327R,LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3J327R,LF-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 3.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
מלאי:
49608 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890891
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3J327R,LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVI
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.9A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.6 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
290 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23F
חבילה / מארז
SOT-23-3 Flat Leads
מספר מוצר בסיסי
SSM3J327
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3J327RLFCT
SSM3J327R,LF(T
SSM3J327RLFTR
SSM3J327RLF
SSM3J327RLFDKR
SSM3J327R,LF(B
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPCA8011-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 20V 40A 8SOP
TPN13008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
TK12A50E,S5X
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
