מספר מוצר של יצרן:
RN2906FE(TE85L,F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN2906FE(TE85L,F)-DG
תיאור:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
מלאי:
4000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889734
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN2906FE(TE85L,F) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Cut Tape (CT)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
4.7kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
47kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
200MHz
הספק - מקס'
100mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
ES6
מספר מוצר בסיסי
RN2906
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RN2906FE(TE85LF)CT
RN2906FE(TE85LF)DKR
RN2906FE(TE85LF)TR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN2901(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1965FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4901FE,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
