RN2712JE(TE85L,F)
מספר מוצר של יצרן:

RN2712JE(TE85L,F)

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN2712JE(TE85L,F)-DG

תיאור:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV

מלאי:

3995 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889588
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN2712JE(TE85L,F) מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
22kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
-
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
200MHz
הספק - מקס'
100mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-553
חבילת מכשירים לספקים
ESV
מספר מוצר בסיסי
RN2712

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
RN2712JE(TE85LF)CT
RN2712JE(TE85LF)TR
RN2712JE(TE85LF)DKR
חבילה סטנדרטית
4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4991FE,LF(CT

NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2902FE(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1502(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4982,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6