RN2705JE(TE85L,F)
מספר מוצר של יצרן:

RN2705JE(TE85L,F)

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN2705JE(TE85L,F)-DG

תיאור:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV

מלאי:

12891554
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN2705JE(TE85L,F) מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
2.2kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
47kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
200MHz
הספק - מקס'
100mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-553
חבילת מכשירים לספקים
ESV
מספר מוצר בסיסי
RN2705

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
RN2705JE(TE85LF)TR
RN2705JE(TE85LF)CT
RN2705JE(TE85LF)DKR
חבילה סטנדרטית
4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
DDA123JU-7-F
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
5700
DiGi מספר חלק
DDA123JU-7-F-DG
מחיר ליחידה
0.04
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2903,LF(CT

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2603(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2901FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1961FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6