RN2506(TE85L,F)
מספר מוצר של יצרן:

RN2506(TE85L,F)

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN2506(TE85L,F)-DG

תיאור:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV

מלאי:

3171 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889804
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN2506(TE85L,F) מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
4.7kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
47kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
200MHz
הספק - מקס'
300mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-74A, SOT-753
חבילת מכשירים לספקים
SMV
מספר מוצר בסיסי
RN2506

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
RN2506(TE85LF)CT
RN2506(TE85LF)TR
RN2506TE85LF
RN2506(TE85LF)DKR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4988FE,LF(CT

NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1702,LF

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4909,LF(CT

PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1904FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6