מספר מוצר של יצרן:
RN2116,LF(CT
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN2116,LF(CT-DG
תיאור:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
מלאי:
3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891140
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN2116,LF(CT מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
PNP - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
4.7 kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
10 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
50 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
500nA
תדירות - מעבר
200 MHz
הספק - מקס'
100 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-75, SOT-416
חבילת מכשירים לספקים
SSM
מספר מוצר בסיסי
RN2116
מידע נוסף
שמות אחרים
RN2116LF(CBTR
RN2116,LF(CTCT
RN2116LF(CBCT-DG
RN2116LF(CBTR-DG
RN2116(T5LFT)DKR-DG
RN2116(T5LFT)CT
RN2116,LF(CTTR
RN2116(T5LFT)TR
RN2116,LF(CB
RN2116LF(CBCT
RN2116LF(CBDKR
RN2116(T5L,F,T)
RN2116(T5LFT)TR-DG
RN2116LF(CTTR
RN2116(T5LFT)CT-DG
RN2116(T5LFT)DKR
RN2116,LF(CTDKR
RN2116LF(CTCT
RN2116LF(CBDKR-DG
RN2116LF(CTDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1109MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1118MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1311,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
