RN2109MFV,L3F
מספר מוצר של יצרן:

RN2109MFV,L3F

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN2109MFV,L3F-DG

תיאור:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

מלאי:

7950 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890247
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN2109MFV,L3F מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
PNP - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
47 kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
22 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
70 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
500nA
הספק - מקס'
150 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-723
חבילת מכשירים לספקים
VESM
מספר מוצר בסיסי
RN2109

מידע נוסף

שמות אחרים
264-RN2109MFV,L3FTR
RN2109MFVL3F-DG
RN2109MFVL3F
264-RN2109MFV,L3FCT
264-RN2109MFV,L3FDKR
חבילה סטנדרטית
8,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
DTA144WM3T5G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DTA144WM3T5G-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DDTD143EC-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2317(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70

diodes

DDTA124XUA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1307,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70