מספר מוצר של יצרן:
RN1964FE(TE85L,F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN1964FE(TE85L,F)-DG
תיאור:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
מלאי:
3870 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891430
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN1964FE(TE85L,F) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
47kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
47kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250MHz
הספק - מקס'
100mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
ES6
מספר מוצר בסיסי
RN1964
מידע נוסף
שמות אחרים
RN1964FE(TE85LF)CT
RN1964FE(TE85LF)DKR
RN1964FE(TE85LF)TR
RN1964FETE85LF
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RN1104MFV,L3F
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
7999
DiGi מספר חלק
RN1104MFV,L3F-DG
מחיר ליחידה
0.01
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN49A2,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1705JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1963FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
