מספר מוצר של יצרן:
RN1910FE,LF(CT
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN1910FE,LF(CT-DG
תיאור:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
מלאי:
4750 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889497
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN1910FE,LF(CT מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
4.7kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
-
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250MHz
הספק - מקס'
100mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
ES6
מספר מוצר בסיסי
RN1910
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RN1910FE,LF(CB
RN1910FELF(CTTR
RN1910FELF(CTDKR
RN1910FELF(CTCT
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4901,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4985,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6