RN1611(TE85L,F)
מספר מוצר של יצרן:

RN1611(TE85L,F)

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN1611(TE85L,F)-DG

תיאור:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6

מלאי:

325 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889094
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN1611(TE85L,F) מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
10kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
-
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250MHz
הספק - מקס'
300mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-74, SOT-457
חבילת מכשירים לספקים
SM6
מספר מוצר בסיסי
RN1611

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
RN1611(TE85LF)TR
RN1611(TE85LF)CT
RN1611(TE85LF)DKR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
QSH29TR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
QSH29TR-DG
מחיר ליחידה
0.26
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4985FE,LF(CT

NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4990(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4906FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4987FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6