RN1113,LF(CT
מספר מוצר של יצרן:

RN1113,LF(CT

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN1113,LF(CT-DG

תיאור:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

מלאי:

3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13275861
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN1113,LF(CT מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
NPN - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
47 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250 MHz
הספק - מקס'
100 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-75, SOT-416
חבילת מכשירים לספקים
SSM
מספר מוצר בסיסי
RN1113

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
264-RN1113LF(CT
264-RN1113LF(DKR
264-RN1113LF(TR
RN1113,LF(CB
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2103MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1117(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2423(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1108,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM