מספר מוצר של יצרן:
RN1108MFV,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN1108MFV,L3F-DG
תיאור:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
מלאי:
6661 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890982
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
b9wI
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN1108MFV,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
NPN - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
22 kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
47 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
500nA
הספק - מקס'
150 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-723
חבילת מכשירים לספקים
VESM
מספר מוצר בסיסי
RN1108
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RN1108MFVL3FTR
RN1108MFV,L3F(T
RN1108MFVL3FCT
RN1108MFVL3FDKR
RN1108MFV,L3F(B
RN1108MFVL3F
RN1108MFVL3F-DG
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DTC124TMT2L
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
7980
DiGi מספר חלק
DTC124TMT2L-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN2421(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
RN1117MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2106,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
