מספר מוצר של יצרן:
RN1106MFV(TL3,T)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN1106MFV(TL3,T)-DG
תיאור:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
מלאי:
12891550
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN1106MFV(TL3,T) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
NPN - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
4.7 kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
47 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
500nA
הספק - מקס'
150 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-723
חבילת מכשירים לספקים
VESM
מספר מוצר בסיסי
RN1106
מידע נוסף
שמות אחרים
RN1106MFVTL3T
RN1106MFV(TL3T)DKR
RN1106MFV(TL3T)TR
RN1106MFV(TL3T)CT
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DTC143ZM3T5G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
2290
DiGi מספר חלק
DTC143ZM3T5G-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
מספר חלק
DTC143ZMT2L
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
70232
DiGi מספר חלק
DTC143ZMT2L-DG
מחיר ליחידה
0.04
סוג משאב
Similar
מספר חלק
NSBC143ZF3T5G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
7900
DiGi מספר חלק
NSBC143ZF3T5G-DG
מחיר ליחידה
0.08
סוג משאב
Similar
מספר חלק
NSVDTC143ZM3T5G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
2915
DiGi מספר חלק
NSVDTC143ZM3T5G-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
מספר חלק
RN1106MFV,L3F
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
53233
DiGi מספר חלק
RN1106MFV,L3F-DG
מחיר ליחידה
0.01
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1109ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN1106MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
