מספר מוצר של יצרן:
RN1105MFV,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN1105MFV,L3F-DG
תיאור:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
מלאי:
12889116
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN1105MFV,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
NPN - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
2.2 kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
47 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
500nA
הספק - מקס'
150 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-723
חבילת מכשירים לספקים
VESM
מספר מוצר בסיסי
RN1105
מידע נוסף
שמות אחרים
RN1105MFV(TL3T)TR
RN1105MFV,L3FCT
RN1105MFVTL3T
RN1105MFV(TL3T)DKR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT-DG
RN1105MFV,L3F(B
RN1105MFV,L3FTR
RN1105MFV(TL3T)DKR
RN1105MFV(TL3T)TR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT
RN1105MFV,L3F(T
RN1105MFV,L3FDKR
RN1105MFV(TL3,T)
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NSVDTC123JM3T5G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
8000
DiGi מספר חלק
NSVDTC123JM3T5G-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN2302,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN2303(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1408,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
