מספר מוצר של יצרן:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
HN3C51F-GR(TE85L,F-DG
תיאור:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
מלאי:
12889166
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HN3C51F-GR(TE85L,F מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), מערכות טרנזיסטורים בי-פולריים
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
2 NPN (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
120V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
200 @ 2mA, 6V
הספק - מקס'
300mW
תדירות - מעבר
100MHz
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-74, SOT-457
חבילת מכשירים לספקים
SM6
מספר מוצר בסיסי
HN3C51
מידע נוסף
שמות אחרים
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
HN4A56JU(TE85L,F)
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
