מספר מוצר של יצרן:
2SK2507(F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SK2507(F)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
תיאור מפורט:
N-Channel 50 V 25A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220NIS
מלאי:
12890114
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
nTFG
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SK2507(F) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
50 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
46mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
900 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220NIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
2SK2507
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3J144TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
TPCA8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP
TK35A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
