מספר מוצר של יצרן:
2SJ380(F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SJ380(F)-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
מלאי:
12891266
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SJ380(F) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220NIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
2SJ380
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPH1R204PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
TK14N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
TPCC8002-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
