מספר מוצר של יצרן:
2SD2406-Y(F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SD2406-Y(F)-DG
תיאור:
TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 8MHz 25 W Through Hole TO-220NIS
מלאי:
12891327
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SD2406-Y(F) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
NPN
זרם - אספן (IC) (מקס')
4 A
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
80 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
1.5V @ 300mA, 3A
זרם - חיתוך אספן (מקס')
30µA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 500mA, 5V
הספק - מקס'
25 W
תדירות - מעבר
8MHz
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
חבילת מכשירים לספקים
TO-220NIS
מספר מוצר בסיסי
2SD2406
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
KSD1408YTU
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
12762
DiGi מספר חלק
KSD1408YTU-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SC5712(TE12L,F)
TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
2SC2655-O(ND1,AF)
TRANS NPN 50V 2A TO92MOD
2SA1313-Y,LF
TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
