מספר מוצר של יצרן:
2SD2257(Q,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SD2257(Q,M)-DG
תיאור:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
מלאי:
12891512
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SD2257(Q,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
NPN
זרם - אספן (IC) (מקס')
3 A
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
100 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
זרם - חיתוך אספן (מקס')
10µA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
2000 @ 2A, 2V
הספק - מקס'
2 W
תדירות - מעבר
-
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
חבילת מכשירים לספקים
TO-220NIS
מספר מוצר בסיסי
2SD2257
מידע נוסף
שמות אחרים
2SD2257QM
2SD2257(QM)
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SC3074-O(Q)
TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
2SA1182-Y,LF
TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
2SC4883A
TRANSISTOR NPN TO220
