מספר מוצר של יצרן:
2SD2206(TE6,F,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SD2206(TE6,F,M)-DG
תיאור:
TRANS NPN 100V 2A TO92MOD
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
מלאי:
12891282
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SD2206(TE6,F,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
NPN
זרם - אספן (IC) (מקס')
2 A
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
100 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
זרם - חיתוך אספן (מקס')
10µA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
2000 @ 1A, 2V
הספק - מקס'
900 mW
תדירות - מעבר
100MHz
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
חבילת מכשירים לספקים
TO-92MOD
מספר מוצר בסיסי
2SD2206
מידע נוסף
שמות אחרים
2SD2206TE6FM
2SD2206(TE6FM)
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SC4793,TOA1F(J
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
2SA2154CT-GR,L3F
TRANS PNP 50V 0.1A CST3
2SA1020-Y(T6CN,A,F
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD