מספר מוצר של יצרן:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
תיאור:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
מלאי:
12889863
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SB1481(TOJS,Q,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
PNP
זרם - אספן (IC) (מקס')
4 A
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
100 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
זרם - חיתוך אספן (מקס')
2µA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
2000 @ 3A, 2V
הספק - מקס'
2 W
תדירות - מעבר
-
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
חבילת מכשירים לספקים
TO-220NIS
מספר מוצר בסיסי
2SB1481
מידע נוסף
שמות אחרים
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SC6026MFV-Y,L3F
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
2SC2235-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SC3225,T6ALPSF(M
TRANS NPN 40V 2A TO92MOD