מספר מוצר של יצרן:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
תיאור:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
תיאור מפורט:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
מלאי:
12890736
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SA1930(LBS2MATQ,M מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנזיסטורים ביפולריים בודדים
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
PNP
זרם - אספן (IC) (מקס')
2 A
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
180 V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
זרם - חיתוך אספן (מקס')
5µA (ICBO)
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
100 @ 100mA, 5V
הספק - מקס'
2 W
תדירות - מעבר
200MHz
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
חבילת מכשירים לספקים
TO-220NIS
מספר מוצר בסיסי
2SA1930
מידע נוסף
שמות אחרים
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SC5171(ONK,Q,M)
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
2SA1887(F)
TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
2SC2235-Y,USNHF(M
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD