מספר מוצר של יצרן:
TPS1100D
Product Overview
יצרן:
Texas Instruments
DiGi Electronics מספר חלק:
TPS1100D-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
תיאור מפורט:
P-Channel 15 V 1.6A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
346 יחידות חדשות מק originales במלאי
12814121
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPS1100D מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
15 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+2V, -15V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
791mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
TPS1100
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
דף מוצר היצרן
מידע נוסף
שמות אחרים
TEXTISTPS1100D
-TPS1100DG4-NDR
296-3379-5
TPS1100DG4-DG
-296-3379-5
-296-3379-5-DG
2156-TPS1100D
TPS1100DG4
-TPS1100D-NDR
-TPS1100DG4
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFU2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
IRL3705NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IRF200S234
MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
