מספר מוצר של יצרן:
CSD19536KCS
Product Overview
יצרן:
Texas Instruments
DiGi Electronics מספר חלק:
CSD19536KCS-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
2308 יחידות חדשות מק originales במלאי
13036354
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CSD19536KCS מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tube
סדרה
NexFET™
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
150A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
153 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12000 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
CSD19536
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
דף מוצר היצרן
מידע נוסף
שמות אחרים
296-37289-5
296-37289-5-NDR
-CSD19536KCS-NDR
-CSD19536KCSINACTIVE
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CSD18537NQ5AT
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
CSD25202W15T
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
CSD22205LT
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
