מספר מוצר של יצרן:
CSD19535KTT
Product Overview
יצרן:
Texas Instruments
DiGi Electronics מספר חלק:
CSD19535KTT-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
מלאי:
1080 יחידות חדשות מק originales במלאי
12788597
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CSD19535KTT מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
98 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7930 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (DDPAK-3)
חבילה / מארז
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
מספר מוצר בסיסי
CSD19535
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
דף מוצר היצרן
מידע נוסף
שמות אחרים
296-45538-2
296-45538-6
CSD19535KTT-DG
296-45538-1
-296-45538-1-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2 (1 Year)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CSD13302WT
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
CSD19506KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
CSD17579Q5A
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON