מספר מוצר של יצרן:
CSD18536KTT
Product Overview
יצרן:
Texas Instruments
DiGi Electronics מספר חלק:
CSD18536KTT-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
מלאי:
1297 יחידות חדשות מק originales במלאי
12795091
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CSD18536KTT מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
140 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11430 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (DDPAK-3)
חבילה / מארז
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
מספר מוצר בסיסי
CSD18536
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
דף מוצר היצרן
מידע נוסף
שמות אחרים
CSD18536KTT-DG
296-44967-6
296-44967-1
296-44967-2
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2 (1 Year)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CSD17556Q5B
MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
CSD17527Q5A
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
CSD23381F4
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR