CSD18531Q5AT
מספר מוצר של יצרן:

CSD18531Q5AT

Product Overview

יצרן:

Texas Instruments

DiGi Electronics מספר חלק:

CSD18531Q5AT-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

מלאי:

2239 יחידות חדשות מק originales במלאי
12816656
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

CSD18531Q5AT מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3840 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-VSONP (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
CSD18531

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
דף מוצר היצרן

מידע נוסף

שמות אחרים
296-41958-2
296-41958-1
296-41958-6
חבילה סטנדרטית
250

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPW65R095C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

infineon-technologies

IRF540Z

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

texas-instruments

CSD18503KCS

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

texas-instruments

CSD17575Q3

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON