מספר מוצר של יצרן:
CSD16411Q3T
Product Overview
יצרן:
Texas Instruments
DiGi Electronics מספר חלק:
CSD16411Q3T-DG
תיאור:
PROTOTYPE
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
מלאי:
12996090
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CSD16411Q3T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
-
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.8 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
+16V, -12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
570 pF @ 12.5 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
CSD16411
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
296-CSD16411Q3T
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R8006KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
CSD18563Q5A-P
60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
CSD16323Q3T
PROTOTYPE
