TSM60NB380CH
מספר מוצר של יצרן:

TSM60NB380CH

Product Overview

יצרן:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

TSM60NB380CH-DG

תיאור:

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

מלאי:

13374190
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

TSM60NB380CH מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
795 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251 (IPAK)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
TSM60

מידע נוסף

שמות אחרים
1801-TSM60NB380CH
חבילה סטנדרטית
15,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-

vishay

SIRS4301DP-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

vishay

SISS4402DN-T1-GE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE