מספר מוצר של יצרן:
TSM60NB099CF
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM60NB099CF-DG
תיאור:
600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S
מלאי:
13005296
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM60NB099CF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
99mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
62 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2587 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220S
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TSM60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
1801-TSM60NB099CF
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TSM60NB099CF C0G
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
905
DiGi מספר חלק
TSM60NB099CF C0G-DG
מחיר ליחידה
4.11
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM10NC60CF
600V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE
2N7002PW
MOSFET, SOT-323, 60V, 0.315A, 15
IXFK130N65X3
DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 TO2