מספר מוצר של יצרן:
TSM110NB04LCV
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM110NB04LCV-DG
תיאור:
40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 9A (Ta), 44A (Tc) 1.9W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
מלאי:
13374950
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM110NB04LCV מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta), 44A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1329 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.9W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PDFN (3.15x3.1)
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מספר מוצר בסיסי
TSM110
מידע נוסף
שמות אחרים
1801-TSM110NB04LCVTR
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TSM110NB04LCV RGG
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
9996
DiGi מספר חלק
TSM110NB04LCV RGG-DG
מחיר ליחידה
0.21
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM160P02CS
-20, -11, SINGLE P-CHANNEL
TSM10NC65CF
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE
LSIC1MO120T0080-TU
1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7