מספר מוצר של יצרן:

TSM089N08LCR

Product Overview

יצרן:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

TSM089N08LCR-DG

תיאור:

80V, 67A, SINGLE N-CHANNEL POWER

תיאור מפורט:

N-Channel 80 V 12A (Ta), 67A (Tc) 2.6W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12998927

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TSM089N08LCR מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Taiwan Semiconductor

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

80 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

12A (Ta), 67A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

8.9mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

90 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

6119 pF @ 40 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.6W (Ta), 83W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PDFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

TSM089

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

1801-TSM089N08LCRTR

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

TSM9435CS

-30V, -5.3A, SINGLE P-CHANNEL PO

IPD50P04P4L11AUMA1

MOSFET

goford-semiconductor

GT025N06D5

N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.

micro-commercial-components

SI3134KL3A-TP

N-CHANNEL MOSFET DFN1006-3