מספר מוצר של יצרן:
STW9N150
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW9N150-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 1500 V 8A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12876199
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW9N150 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
PowerMESH™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
89.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3255 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
320W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW9
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-8465-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
2SK1835-E
יצרן
Renesas Electronics Corporation
כמות זמינה
18610
DiGi מספר חלק
2SK1835-E-DG
מחיר ליחידה
4.54
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
STFU9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
STH245N75F3-6
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
