מספר מוצר של יצרן:
STW8N90K5
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW8N90K5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12880008
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW8N90K5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ K5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
VGS (מקס')
±30V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
130W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW8N90
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-17085
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF25NM50N
MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
STH175N4F6-2AG
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
STPLED627
MOSFET N-CH 620V 7A TO220
