מספר מוצר של יצרן:
STW56N65M2-4
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW56N65M2-4-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4
מלאי:
12948515
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW56N65M2-4 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
49A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
62mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
93 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3900 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
358W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
STW56
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-15373-5
497-15373-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
