מספר מוצר של יצרן:

STW35N60M2-EP

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STW35N60M2-EP-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V TO247

תיאור מפורט:

N-Channel 600 V 26A (Tc) Through Hole TO-247

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12873519

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

STW35N60M2-EP מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

STMicroelectronics

אריזות

-

סדרה

MDmesh™ M2-EP

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

600 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

26A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

-

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

-

VGS (מקס')

-

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

-

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-247

חבילה / מארז

TO-247-3

מספר מוצר בסיסי

STW35N

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

600

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

stmicroelectronics

STWA88N65M5

MOSFET N-CH 650V 84A TO247

stmicroelectronics

STL13NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV

stmicroelectronics

STD140N6F7

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

stmicroelectronics

STI21NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK