מספר מוצר של יצרן:
STW27N60M2-EP
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW27N60M2-EP-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12878563
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW27N60M2-EP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M2-EP
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
163mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1320 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
170W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW27
דף נתונים ומסמכים
משאבי עיצוב
מידע נוסף
שמות אחרים
497-16490-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTH24N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
268
DiGi מספר חלק
IXTH24N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.98
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW60R160C6FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
82
DiGi מספר חלק
IPW60R160C6FKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.22
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH20N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
241
DiGi מספר חלק
IXTH20N65X2-DG
מחיר ליחידה
3.04
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH18N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH18N65X2-DG
מחיר ליחידה
3.90
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6024KNZ1C9
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
3
DiGi מספר חלק
R6024KNZ1C9-DG
מחיר ליחידה
3.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STH270N4F3-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
STD17NF03L-1
MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
STP25N80K5
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220