מספר מוצר של יצרן:
STW25NM60ND
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW25NM60ND-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12874338
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW25NM60ND מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
FDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2400 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW25N
מידע נוסף
שמות אחרים
497-8455-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIHG22N60AE-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG22N60AE-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.64
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG22N60E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
498
DiGi מספר חלק
SIHG22N60E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.88
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH36N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH36N60P-DG
מחיר ליחידה
6.71
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFP21N60LPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFP21N60LPBF-DG
מחיר ליחידה
3.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG23N60E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG23N60E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.99
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB85NF55T4
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STB15N65M5
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
STL33N60M6
MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV
