מספר מוצר של יצרן:
STW18NK80Z
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW18NK80Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 19A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12879199
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW18NK80Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
250 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
350W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW18N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-4423-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPW17N80C3FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
452
DiGi מספר חלק
SPW17N80C3FKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.35
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH18N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH18N60P-DG
מחיר ליחידה
2.99
סוג משאב
Similar
מספר חלק
APT18M80B
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
APT18M80B-DG
מחיר ליחידה
5.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPW11N80C3FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2520
DiGi מספר חלק
SPW11N80C3FKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.49
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH22N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH22N60P3-DG
מחיר ליחידה
3.08
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW12N150K5
MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
STP5NK65Z
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
STD12NF06-1
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK